III-я Международная конференция «Кристаллические материалы – 2010» (ICCM'2010)

Первое информационное сообщение

III-я Международная конференция «Кристаллические материалы – 2010» (ICCM'2010)
31 мая 2010 г. - 03 июня 2010 г.

Уважаемые коллеги!
Национальная академия наук НАН Украины, Украинская ассоциация по росту кристаллов, НТК «Институт монокристаллов» НАН Украины приглашают вас  принять участие в III-й Международной конференции «Кристаллические материалы  2010»  (International Conference on Crystal Materials   2010, ICCM 2010), которая состоится с 31 мая по 03 июня 2010 года  в  г. Харькове (Украина) на базе Научно-технологического комплекса «Институт монокристаллов» НАН Украины.
 
Конференция посвящена  рассмотрению  актуальных  проблем  получения, исследования и  практического применения неметаллических кристаллических материалов (моно-, поли-, нанокристаллических):

• объемных материалов;
• тонких пленок;
• низкоразмерных  структур  (гибридных структур, поверхностных слоев и пленок, жидких кристаллов и др.);
• нанокристаллов;
• биокристаллов и биоподобных материалов.

При содействии:
Украинского научно-технологического центра (УНТЦ)
Института кристаллографии им. А.В.Шубникова Российской академии наук
Института общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук

Программа Конференции
Программа конференции включает следующие основные разделы:
A. Фундаментальные аспекты роста кристаллов: теория и эксперимент.
В. Получение  кристаллических  материалов  из  расплавов,  растворов,
газовой фазы, эпитаксиальный рост.
С. Самоорганизация, биомиметика.
D. Новые  методы,  технологии  и  аппаратура  для  выращивания и
сертификации кристаллических материалов.

Сопредседатели конференции:
Семиноженко В.П. – Украина, академик НАНУ
Осико В.В. – Россия, академик РАН
Ковальчук М.В. – Россия, чл.-корр. РАН

Председатель Оргкомитета конференции
Пузиков В.М. –Украина, академик НАНУ

Сопредседатели Программного комитета
Толмачев А.В. –Украина, член-корр. НАНУ
Жариков Е.В. –Россия, профессор

Ученый секретарь конференции
Притула И.М. – Украина, к.ф.-м.н.

Специальные секции и семинары
В рамках Конференции планируется проведение специальной секции, посвящённой перспективным методам получения оксидных кристаллических материалов.
Организаторы также принимают предложения до начала работы Конференции по организации специализированных семинаров.

Правила оформления тезисов докладов
Правила оформления тезисов докладов приведены на сайте конференции
abstract_guidelines_ICCM2010.doc (тезисы представляются на английском языке)

Статьи,   написанные   по   материалам   докладов,  представленных  на
конференции,  содержащие  новые,  ранее  не опубликованные результаты,
будут  опубликованы  в  журнале  “Functional  Materials”

Регистрация

Регистрация участников конференции до 30.04.2010 будет проводиться на странице http://www.isc.kharkov.com/iccm2010/index.php?page=regform

Оргвзнос
Организационный взнос за участие в конференции составляет эквивалент 50 долл. США по курсу Национального банка Украины.
Организационный взнос включает: издание программы конференции, сборника тезисов докладов конференции, кофе-брейк, частичное покрытие затрат на организацию и проведение конференции.
Банковские реквизиты для перечисления организационного взноса будут приведены на официальном сайте конференции.

Языки
Официальные языки конференции: украинский, русский, английский

Важные даты
15.01.2010 – первое информационное сообщение
30.04. 2010 - конечный срок представления тезисов докладов
19.04.2010 – рассылка 2-го информационного сообщения
30.04.2010 –рассылка приглашений участникам конференции
21.05.2010 – конечный срок перечисления организационного взноса

Другие мероприятия
Культурная программа предоставит Вам возможность ознакомиться с музеями и достопримечательностями города Харьков.

Адрес
НТК "Институт монокристаллов" НАН Украины,
Украина, 61001, Харьков, проспект Ленина, 60
ученый секретарь iccm2010
к.ф.-м.н. Притула И.М.
Тел.: +38(057) 341 01 39
Факс: +38(057) 340 86 19
E-mail: iccm2010@isc.kharkov.ua
http://www.isc.kharkov.com/iccm2010
--
С уважением,